MOSFET

BSP300H6327XUSA1

Infineon Technologies

На складе: Нет в наличии

По запросу
Производитель: Infineon Technologies
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус: SOT-223-4
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 800 V
Постоянный ток стока: 190 mA
Сопротивление сток-исток: 20 Ohms
Напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 2 V
Заряд затвора: -
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Потери мощности (PD): 1.8 W
Режим канала: Enhancement
Упаковка: Reel, Cut Tape, MouseReel
Время спада: 21 ns
Прямое транскондукционное сопротивление, мин.: 60 mS
Высота: 1.6 mm
Длина: 6.5 mm
Чувствительность к влаге: Yes
Время нарастания: 16 ns
Количество в заводской упаковке: 1000
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время выключения: 27 ns
Типичное время включения: 7 ns
Вес: 112 mg
MOSFET BSP300H6327XUSA1 - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях, с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.