SiC MOSFET-транзисторы SCT027H65G3AG купить оптом

STMicroelectronics

На складе: Нет в наличии

Отправьте нам файл со списком позиций и получите КП

Наши преимущества

Гарантия 12 месяцев

Гарантия на комплектующие 12 месяцев

Работаем со спецсчетами

Работаем со спецсчетами

Хранение на складе

Храним товар на складе под ваши задачи

Производитель: STMicroelectronics
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус: H2PAK-7
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 650 V
Постоянный ток стока: 60 A
Сопротивление сток-исток: 39.3 mOhms
Напряжение затвор-исток: - 10 V, + 22 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 3 V
Заряд затвора: 48.6 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Потери мощности (PD): 300 W
Режим канала: Enhancement
Время спада: 11.2 ns
Упаковка: Cut Tape, 1000
Время нарастания: 11.7 ns
Типичное время выключения: 25.6 ns
Типичное время включения: 13.2 ns
SiC MOSFET-транзисторы SCT027H65G3AG STMicroelectronics - оригинальные купить оптом. Доставка по России. Тел.: +7 (953) 340 71 39
Информация и изображение служат в ознакомительных целях,с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.