SiC MOSFET-транзисторы IPDQ60R007CM8XTMA1 купить оптом

Infineon

На складе: Нет в наличии

Отправьте нам файл со списком позиций и получите КП

Наши преимущества

Гарантия 12 месяцев

Гарантия на комплектующие 12 месяцев

Работаем со спецсчетами

Работаем со спецсчетами

Хранение на складе

Храним товар на складе под ваши задачи

Производитель: Infineon
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус: HDSOP-22
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Постоянный ток стока: 288 A
Сопротивление сток-исток: 7 mOhms
Напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 4.7 V
Заряд затвора: 370 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Потери мощности (PD): 1.249 kW
Режим канала: Enhancement
Время спада: 8.4 ns
Упаковка: Cut Tape, 750
Время нарастания: 16.5 ns
Типичное время выключения: 215.2 ns
Типичное время включения: 49.5 ns
SiC MOSFET-транзисторы IPDQ60R007CM8XTMA1 Infineon Technologies - оригинальные купить оптом. Доставка по России. Тел.: +7 (953) 340 71 39
Информация и изображение служат в ознакомительных целях,с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.