MOSFET

BSS169H6327XTSA1

Infineon Technologies

На складе: Нет в наличии

По запросу
Отправьте нам файл со списком позиций и получите КП

Наши преимущества

Гарантия 12 месяцев

Гарантия на комплектующие 12 месяцев

Работаем со спецсчетами

Работаем со спецсчетами

Хранение на складе

Храним товар на складе под ваши задачи

Производитель: Infineon Technologies
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус: SOT-23-3
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 100 V
Постоянный ток стока: 170 mA
Сопротивление сток-исток: 2.9 Ohms
Напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 2.9 V
Заряд затвора: 2.1 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Потери мощности (PD): 360 mW
Режим канала: Depletion
Упаковка: Reel, Cut Tape, MouseReel
Время спада: 27 ns
Прямое транскондукционное сопротивление, мин.: 0.2 S
Высота: 1.1 mm
Длина: 2.9 mm
Время нарастания: 2.7 ns
Количество в заводской упаковке: 3000
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время выключения: 11 ns
Типичное время включения: 2.9 ns
Вес: 34 mg
MOSFET BSS169H6327XTSA1 - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях, с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.