IGBTs UCC21750QDWRQ1 купить оптом

Texas Instruments

На складе: Нет в наличии

Отправьте нам файл со списком позиций и получите КП

Наши преимущества

Гарантия 12 месяцев

Гарантия на комплектующие 12 месяцев

Работаем со спецсчетами

Работаем со спецсчетами

Хранение на складе

Храним товар на складе под ваши задачи

Производитель: Texas Instruments
Корпус: SOIC (DW), выводов: 16
Монтаж: SMD
Рабочая температура: -40…+125 °C
Серия: UCC21750-Q1
Статус изделия: Выпускается
Количество каналов: 1
Класс изоляции: Reinforced
Силовой ключ: IGBT, SiCFET
Испытательное напряжение изоляции: 5700 Vrms
Рабочее напряжение изоляции: 1500 Vrms
Переходное напряжение изоляции: 8000, 8400 VPK
Пиковый выходной ток: 10 А
Peak output current (source): 10 А
Особенности: Active miller clamp, Desaturation (DESAT) protection, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off
Напряжение питания выхода: 13…33 В
Напряжение питания: 3…5.5 В
Время задержки распространения: 0.09
Порог входа: CMOS
Стандарт / квалификация: Automotive
Напряжение питания bootstrap: 2.121 кВ
Время нарастания: 33 нс
Время спада: 27 нс
Порог отключения при низком напряжении: 12 В
Категория функциональной безопасности: Functional Safety Quality-Managed
RoHS: Да
REACH: Да
Материал выводов: NiPdAu
MSL / температура пайки: Level-3-260C-168 HR
Число выводов: 16

IGBT UCC21750QDWRQ1 SOIC (DW), выводов: 16.

Назначение: силовая коммутация.

Документация производителя (PDF)

Информация и изображение служат в ознакомительных целях. Точные характеристики уточняйте у менеджера или в документации производителя.