DRAM K4F8E304HB-MGCJ купить оптом
Samsung Semiconductor, Inc.
На складе: Нет в наличии
Нет на складе
Отправьте нам файл со списком позиций и получите КП
Наши преимущества
Гарантия на комплектующие 12 месяцев
Работаем со спецсчетами
Храним товар на складе под ваши задачи
| Производитель: | Samsung Semiconductor, Inc. |
|---|---|
| Корпус: | 200-TFBGA |
| Монтаж: | SMD |
| Рабочая температура: | -25…+85 °C |
| Статус изделия: | Выпускается |
| Организация памяти: | 256M x 32 |
| Интерфейс: | Parallel |
| Упаковка: | Tray |
| Тактовая частота: | 1866 МГц |
| Напряжение питания: | 1.1 В |
| Энергозависимость памяти: | Volatile |
| Тип памяти: | DRAM |
| Объём памяти: | 8Gbit |
Микросхема памяти K4F8E304HB-MGCJ 8Gbit | 200-TFBGA.
Назначение: хранение данных.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях. Точные характеристики уточняйте у менеджера или в документации производителя.





