DRAM K4F8E304HB-MGCJ купить оптом

Samsung Semiconductor, Inc.

На складе: Нет в наличии

Отправьте нам файл со списком позиций и получите КП

Наши преимущества

Гарантия 12 месяцев

Гарантия на комплектующие 12 месяцев

Работаем со спецсчетами

Работаем со спецсчетами

Хранение на складе

Храним товар на складе под ваши задачи

Производитель: Samsung Semiconductor, Inc.
Корпус: 200-TFBGA
Монтаж: SMD
Рабочая температура: -25…+85 °C
Статус изделия: Выпускается
Организация памяти: 256M x 32
Интерфейс: Parallel
Упаковка: Tray
Тактовая частота: 1866 МГц
Напряжение питания: 1.1 В
Энергозависимость памяти: Volatile
Тип памяти: DRAM
Объём памяти: 8Gbit

Микросхема памяти K4F8E304HB-MGCJ 8Gbit | 200-TFBGA.

Назначение: хранение данных.

Информация и изображение служат в ознакомительных целях. Точные характеристики уточняйте у менеджера или в документации производителя.

Похожие товары