Транзисторы

IRF7807VD1PBF

Infineon Technologies

На складе: Нет в наличии

По запросу
Производитель: Infineon Technologies
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус: SOIC-8
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 30 V
Постоянный ток стока: 8.3 A
Сопротивление сток-исток: 25 mOhms
Напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Заряд затвора: 9.5 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Потери мощности (PD): 2.5 W
Режим канала: Enhancement
Упаковка: Tube
Время спада: 2.2 ns
Высота: 1.75 mm
Длина: 4.9 mm
Время нарастания: 1.2 ns
Количество в заводской упаковке: 95
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время выключения: 11 ns
Типичное время включения: 6.3 ns
Вес: 540 mg
Транзисторы IRF7807VD1PBF - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях, с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.