SiC MOSFET-транзисторы IMZA65R010M2HXKSA1 купить оптом

Infineon

На складе: Нет в наличии

Нет на складе
  • Запросить под заказ
  • Отправьте нам файл со списком позиций и получите КП

    Наши преимущества

    Гарантия 12 месяцев

    Гарантия на комплектующие 12 месяцев

    Работаем со спецсчетами

    Работаем со спецсчетами

    Хранение на складе

    Храним товар на складе под ваши задачи

    Производитель: Infineon
    Стиль монтажа: Through Hole
    Корпус: TO-247-4
    Полярность транзистора: N-Channel
    Количество каналов: 1 Channel
    Напряжение пробоя сток-исток: 650 V
    Постоянный ток стока: 144 A
    Сопротивление сток-исток: 13.1 mOhms
    Напряжение затвор-исток: - 10 V, + 25 V
    Пороговое напряжение затвор-исток: 5.6 V
    Заряд затвора: 112 nC
    Минимальная рабочая температура: - 55 C
    Максимальная рабочая температура: + 175 C
    Потери мощности (PD): 440 W
    Режим канала: Enhancement
    Время спада: 9.4 ns
    Упаковка: Tube, 240
    Время нарастания: 24 ns
    Тип транзистора: 1 N-Channel
    Типичное время выключения: 30 ns
    Типичное время включения: 16 ns
    SiC MOSFET-транзисторы IMZA65R010M2HXKSA1 Infineon Technologies - оригинальные купить оптом. Доставка по России. Тел.: +7 (953) 340 71 39
    Информация и изображение служат в ознакомительных целях,с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.