MOSFET

BSC010NE2LSIATMA1

Infineon Technologies

На складе: Нет в наличии

По запросу
Производитель: Infineon Technologies
REACH - SVHC: Details
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус: TDSON-8
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 25 V
Постоянный ток стока: 100 A
Сопротивление сток-исток: 900 uOhms
Напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 1.2 V
Заряд затвора: 78 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Потери мощности (PD): 96 W
Режим канала: Enhancement
Упаковка: Reel, Cut Tape, MouseReel
Время спада: 4.6 ns
Прямое транскондукционное сопротивление, мин.: 80 S
Высота: 1.27 mm
Длина: 5.9 mm
Время нарастания: 6.2 ns
Количество в заводской упаковке: 5000
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время выключения: 32 ns
Типичное время включения: 6.3 ns
Вес: 110 mg
MOSFET BSC010NE2LSIATMA1 - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях, с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.