SiC MOSFET-транзисторы IMYH200R100M1HXKSA1 купить оптом

Infineon

На складе: Нет в наличии

Отправьте нам файл со списком позиций и получите КП

Наши преимущества

Гарантия 12 месяцев

Гарантия на комплектующие 12 месяцев

Работаем со спецсчетами

Работаем со спецсчетами

Хранение на складе

Храним товар на складе под ваши задачи

Производитель: Infineon
Стиль монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247-4
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 2 kV
Постоянный ток стока: 26 A
Сопротивление сток-исток: 131 mOhms
Напряжение затвор-исток: - 10 V, + 23 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 3.5 V
Заряд затвора: 55 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Потери мощности (PD): 217 W
Режим канала: Enhancement
Время спада: 5 ns
Прямое транскондукционное сопротивление, мин.: 5 S
Упаковка: Tube, 240
Время нарастания: 3 ns
Типичное время выключения: 21 ns
Типичное время включения: 2 ns
SiC MOSFET-транзисторы IMYH200R100M1HXKSA1 Infineon Technologies - оригинальные купить оптом. Доставка по России. Тел.: +7 (953) 340 71 39
Информация и изображение служат в ознакомительных целях,с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.