Транзисторы

IRFB5620PBF

Infineon Technologies

На складе: Нет в наличии

По запросу
Производитель: Infineon Technologies
Стиль монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220-3
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 200 V
Постоянный ток стока: 25 A
Сопротивление сток-исток: 72.5 mOhms
Напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 1.8 V
Заряд затвора: 25 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Потери мощности (PD): 144 W
Режим канала: Enhancement
Упаковка: Tube
Время спада: 9.9 ns
Прямое транскондукционное сопротивление, мин.: 37 S
Высота: 15.65 mm
Длина: 10 mm
Время нарастания: 14.6 ns
Количество в заводской упаковке: 1000
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время выключения: 17.1 ns
Типичное время включения: 8.6 ns
Вес: 2 g
Транзисторы IRFB5620PBF - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях, с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.