MOSFET

APT11N80BC3G

Microchip Technology

На складе: Нет в наличии

По запросу
Производитель: Microchip Technology
Стиль монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247-3
Полярность транзистора: N-Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 800 V
Постоянный ток стока: 11 A
Сопротивление сток-исток: 390 mOhms
Напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 3 V
Заряд затвора: 60 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Потери мощности (PD): 156 W
Режим канала: Enhancement
Упаковка: Tube
Время спада: 7 ns
Высота: 5.31 mm
Длина: 21.46 mm
Время нарастания: 15 ns
Количество в заводской упаковке: 1
Типичное время выключения: 70 ns
Типичное время включения: 25 ns
Вес: 6 g
MOSFET APT11N80BC3G - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях, с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.