Производитель: | Infineon |
---|---|
Стиль монтажа: | Through Hole |
Корпус: | TO-247-4 |
Полярность транзистора: | N-Channel |
Количество каналов: | 1 Channel |
Напряжение пробоя сток-исток: | 2 kV |
Постоянный ток стока: | 48 A |
Сопротивление сток-исток: | 64 mOhms |
Напряжение затвор-исток: | - 10 V, + 23 V |
Пороговое напряжение затвор-исток: | 3.5 V |
Заряд затвора: | 82 nC |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
Потери мощности (PD): | 348 W |
Режим канала: | Enhancement |
Время спада: | 12 ns |
Прямое транскондукционное сопротивление, мин.: | 10 S |
Упаковка: | Tube, 240 |
Время нарастания: | 9 ns |
Типичное время выключения: | 36 ns |
Типичное время включения: | 17 ns |
SiC MOSFET-транзисторы IMYH200R050M1HXKSA1 Infineon Technologies - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях,с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.