SiC MOSFET-транзисторы

IMYH200R050M1HXKSA1

Infineon

На складе: Нет в наличии

По запросу
Производитель: Infineon
Стиль монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247-4
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 2 kV
Постоянный ток стока: 48 A
Сопротивление сток-исток: 64 mOhms
Напряжение затвор-исток: - 10 V, + 23 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 3.5 V
Заряд затвора: 82 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Потери мощности (PD): 348 W
Режим канала: Enhancement
Время спада: 12 ns
Прямое транскондукционное сопротивление, мин.: 10 S
Упаковка: Tube, 240
Время нарастания: 9 ns
Типичное время выключения: 36 ns
Типичное время включения: 17 ns
SiC MOSFET-транзисторы IMYH200R050M1HXKSA1 Infineon Technologies - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях,с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.