MOSFET

BSS131H6327XTSA1

Infineon Technologies

На складе: Нет в наличии

По запросу
Производитель: Infineon Technologies
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус: SOT-23-3
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 240 V
Постоянный ток стока: 110 mA
Сопротивление сток-исток: 7.7 Ohms
Напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 1.4 V
Заряд затвора: 2.1 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Потери мощности (PD): 360 mW
Режим канала: Enhancement
Упаковка: Reel, Cut Tape, MouseReel
Время спада: 64.5 ns
Прямое транскондукционное сопротивление, мин.: 0.06 S
Высота: 1.1 mm
Длина: 2.9 mm
Время нарастания: 3.1 ns
Количество в заводской упаковке: 3000
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время выключения: 13.7 ns
Типичное время включения: 3.3 ns
Вес: 8 mg
MOSFET BSS131H6327XTSA1 - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях, с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.