Транзисторы

IGB50N65H5ATMA1

Infineon Technologies

На складе: Нет в наличии

По запросу
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-3 (TO-263-3)
Стиль монтажа: SMD/SMT
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: - 20 V, 20 V
Постоянный ток коллектора: 80 A, 80 A
Потери мощности (PD): 270 W
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Упаковка: Reel, Cut Tape
Ток утечки между затвором и эмиттером: 100 nA
Количество в заводской упаковке: 1000
Вес: 1,560 g
Транзисторы IGB50N65H5ATMA1 - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях, с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.