SiC MOSFET-транзисторы IMBG40R025M2HXTMA1 купить оптом
Infineon
На складе: Нет в наличии
Нет на складе
Отправьте нам файл со списком позиций и получите КП
Наши преимущества
Гарантия на комплектующие 12 месяцев
Работаем со спецсчетами
Храним товар на складе под ваши задачи
| Производитель: | Infineon |
|---|---|
| Стиль монтажа: | SMD/SMT |
| Корпус: | TO-263-7 |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Напряжение пробоя сток-исток: | 400 V |
| Постоянный ток стока: | 68 A |
| Сопротивление сток-исток: | 36.5 mOhms |
| Напряжение затвор-исток: | - 10 V, + 25 V |
| Пороговое напряжение затвор-исток: | 4.5 V |
| Заряд затвора: | 36 nC |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
| Потери мощности (PD): | 214 W |
| Режим канала: | Enhancement |
| Время спада: | 7.9 ns |
| Упаковка: | Cut Tape, 1000 |
| Время нарастания: | 11.9 ns |
| Типичное время выключения: | 19.9 ns |
| Типичное время включения: | 12.5 ns |
SiC MOSFET-транзисторы IMBG40R025M2HXTMA1 Infineon Technologies - оригинальные купить оптом. Доставка по России. Тел.: +7 (953) 340 71 39
Информация и изображение служат в ознакомительных целях,с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.





