Транзисторы

IPD122N10N3GATMA1

Infineon Technologies

На складе: Нет в наличии

По запросу
Производитель: Infineon Technologies
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус: DPAK-3 (TO-252-3)
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 100 V
Постоянный ток стока: 59 A
Сопротивление сток-исток: 12.2 mOhms
Напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 2 V
Заряд затвора: 26 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Потери мощности (PD): 94 W
Режим канала: Enhancement
Упаковка: Reel, Cut Tape, MouseReel
Время спада: 5 ns
Прямое транскондукционное сопротивление, мин.: 29 S
Высота: 2.3 mm
Длина: 6.5 mm
Время нарастания: 8 ns
Количество в заводской упаковке: 2500
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время выключения: 24 ns
Типичное время включения: 14 ns
Вес: 4 g
Транзисторы IPD122N10N3GATMA1 - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях, с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.