MOSFETs IPB019N08N3 G купить оптом
Infineon
На складе: Нет в наличии
Нет на складе
Отправьте нам файл со списком позиций и получите КП
Наши преимущества
Гарантия на комплектующие 12 месяцев
Работаем со спецсчетами
Храним товар на складе под ваши задачи
| Производитель: | Infineon |
|---|---|
| Стиль монтажа: | SMD/SMT |
| Корпус: | TO-263-7 |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Напряжение пробоя сток-исток: | 80 V |
| Постоянный ток стока: | 180 A |
| Сопротивление сток-исток: | 1.6 mOhms |
| Напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
| Пороговое напряжение затвор-исток: | 2 V |
| Заряд затвора: | 206 nC |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
| Потери мощности (PD): | 300 W |
| Режим канала: | Enhancement |
| Упаковка: | MouseReel, 1000 |
| Время спада: | 33 ns |
| Прямое транскондукционное сопротивление, мин.: | 103 S |
| Высота: | 4.4 mm |
| Длина: | 10 mm |
| Время нарастания: | 73 ns |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Типичное время выключения: | 86 ns |
| Типичное время включения: | 28 ns |
| Вес: | 1,600 g |
MOSFETs IPB019N08N3 G Infineon Technologies - оригинальные купить оптом. Доставка по России. Тел.: +7 (953) 340 71 39
Информация и изображение служат в ознакомительных целях,с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.





