SiC MOSFET-транзисторы IMW65R026M2HXKSA1 купить оптом

Infineon

На складе: Нет в наличии

Отправьте нам файл со списком позиций и получите КП

Наши преимущества

Гарантия 12 месяцев

Гарантия на комплектующие 12 месяцев

Работаем со спецсчетами

Работаем со спецсчетами

Хранение на складе

Храним товар на складе под ваши задачи

Производитель: Infineon
Стиль монтажа: Through Hole
Корпус: TO-247-3
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 650 V
Постоянный ток стока: 64 A
Сопротивление сток-исток: 33 mOhms
Напряжение затвор-исток: - 10 V, + 25 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 5.6 V
Заряд затвора: 42 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Потери мощности (PD): 227 W
Режим канала: Enhancement
Время спада: 6.3 ns
Упаковка: Tube, 240
Время нарастания: 13.3 ns
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время выключения: 19 ns
Типичное время включения: 27 ns
SiC MOSFET-транзисторы IMW65R026M2HXKSA1 Infineon Technologies - оригинальные купить оптом. Доставка по России. Тел.: +7 (953) 340 71 39
Информация и изображение служат в ознакомительных целях,с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.