MOSFET

BSC077N12NS3GATMA1

Infineon Technologies

На складе: Нет в наличии

По запросу
Производитель: Infineon Technologies
REACH - SVHC: Details
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус: TDSON-8
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 120 V
Постоянный ток стока: 98 A
Сопротивление сток-исток: 7.7 mOhms
Напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 2 V
Заряд затвора: 66 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Потери мощности (PD): 139 W
Режим канала: Enhancement
Упаковка: Reel, Cut Tape, MouseReel
Время спада: 7 ns
Прямое транскондукционное сопротивление, мин.: 40 S
Высота: 1.27 mm
Длина: 5.9 mm
Время нарастания: 8 ns
Количество в заводской упаковке: 5000
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время выключения: 26 ns
Типичное время включения: 15 ns
Вес: 104,400 mg
MOSFET BSC077N12NS3GATMA1 - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях, с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.