Биполярные транзисторы - BJT

BUL416T

STMicroelectronics

На складе: Нет в наличии

По запросу
Производитель: STMicroelectronics
Стиль монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220-3
Полярность транзистора: NPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 800 V
Напряжение коллектор-база: -
Напряжение эмиттер-база: 9 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A
Потери мощности (PD): 110 W
Продукт коэффициента усиления и полосы пропускания: -
Минимальная рабочая температура: -
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Упаковка: Tube
Постоянный ток коллектора: 6 A
Коэффициент постоянного усиления коллектор/база, мин.: 18
Максимальный коэффициент постоянного усиления: 32
Высота: 15.25 mm
Длина: 10 mm
Количество в заводской упаковке: 1000
Вес: 2,300 g
Биполярные транзисторы - BJT BUL416T - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях, с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.