Транзисторы

IGZ100N65H5XKSA1

Infineon Technologies

На складе: Нет в наличии

По запросу
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247-4
Стиль монтажа: Through Hole
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: - 20 V, 20 V
Постоянный ток коллектора: 161 A
Потери мощности (PD): 536 W
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Упаковка: Tube
Ток утечки между затвором и эмиттером: 100 nA
Количество в заводской упаковке: 240
Вес: 6,165 g
Транзисторы IGZ100N65H5XKSA1 - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях, с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.