MOSFETs

IPP057N06N3GXKSA1

Infineon

На складе: Нет в наличии

По запросу
Производитель: Infineon
Стиль монтажа: Through Hole
Корпус: TO-220-3
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 60 V
Постоянный ток стока: 80 A
Сопротивление сток-исток: 4.7 mOhms
Напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 2 V
Заряд затвора: 82 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Потери мощности (PD): 115 W
Режим канала: Enhancement
Упаковка: Tube, 500
Время спада: 9 ns
Прямое транскондукционное сопротивление, мин.: 47 S
Высота: 15.65 mm
Длина: 10 mm
Время нарастания: 68 ns
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время выключения: 32 ns
Типичное время включения: 24 ns
Вес: 2 g
MOSFETs IPP057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях,с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.