Производитель: | Infineon Technologies |
---|---|
Стиль монтажа: | Through Hole |
Корпус: | TO-220-3 |
Полярность транзистора: | N-Channel |
Количество каналов: | 1 Channel |
Напряжение пробоя сток-исток: | 100 V |
Постоянный ток стока: | 9.7 A |
Сопротивление сток-исток: | 200 mOhms |
Напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
Пороговое напряжение затвор-исток: | 4 V |
Заряд затвора: | 16.7 nC |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
Потери мощности (PD): | 48 W |
Режим канала: | Enhancement |
Упаковка: | Tube |
Высота: | 15.65 mm |
Длина: | 10 mm |
Количество в заводской упаковке: | 1000 |
Тип транзистора: | 1 N-Channel |
Вес: | 2 g |
Транзисторы IRF520NPBF - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях, с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.