MOSFET

BSS138LT1G

onsemi

На складе: Нет в наличии

По запросу
Производитель: onsemi
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус: SOT-23-3
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 50 V
Постоянный ток стока: 200 mA
Сопротивление сток-исток: 3.5 Ohms
Напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 850 mV
Заряд затвора: -
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Потери мощности (PD): 225 mW
Режим канала: Enhancement
Упаковка: Reel, Cut Tape, MouseReel
Прямое транскондукционное сопротивление, мин.: 100 mS
Высота: 0.94 mm
Длина: 2.9 mm
Количество в заводской упаковке: 3000
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время выключения: 20 ns
Типичное время включения: 20 ns
Вес: 8 mg
MOSFET BSS138LT1G - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях, с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.