Производитель: | Infineon Technologies |
---|---|
Стиль монтажа: | Through Hole |
Корпус: | TO-220-3 |
Полярность транзистора: | P-Channel |
Количество каналов: | 1 Channel |
Напряжение пробоя сток-исток: | 55 V |
Постоянный ток стока: | 31 A |
Сопротивление сток-исток: | 60 mOhms |
Напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
Пороговое напряжение затвор-исток: | 4 V |
Заряд затвора: | 42 nC |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
Потери мощности (PD): | 110 W |
Режим канала: | Enhancement |
Упаковка: | Tube |
Время спада: | 63 ns |
Прямое транскондукционное сопротивление, мин.: | 8 S |
Высота: | 15.65 mm |
Длина: | 10 mm |
Время нарастания: | 66 ns |
Количество в заводской упаковке: | 1000 |
Тип транзистора: | 1 P-Channel |
Типичное время выключения: | 39 ns |
Типичное время включения: | 14 ns |
Вес: | 2 g |
Транзисторы IRF5305PBF - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях, с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.