MOSFETs

BSS214NW H6327

Infineon

На складе: Нет в наличии

По запросу
Производитель: Infineon
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус: SOT-323-3
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Напряжение пробоя сток-исток: 20 V
Постоянный ток стока: 1.5 A
Сопротивление сток-исток: 106 mOhms
Напряжение затвор-исток: - 12 V, + 12 V
Пороговое напряжение затвор-исток: 950 mV
Заряд затвора: 800 pC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Потери мощности (PD): 500 mW
Режим канала: Enhancement
Упаковка: MouseReel, 3000
Время спада: 1.4 ns
Прямое транскондукционное сопротивление, мин.: 4 S
Высота: 0.9 mm
Длина: 2 mm
Время нарастания: 7.8 ns
Тип транзистора: 1 N-Channel
Типичное время выключения: 6.8 ns
Типичное время включения: 4.1 ns
Вес: 6 mg
BSS214NW H6327 - от производителей и мировых дистрибьютеров.
Информация и изображение служат в ознакомительных целях,с более детальной и точной можно ознакомится в документации производителя.